博鱼app长鑫存储取得半导体结构的形成方法及半导体结构专利提供一种的形成方法及

　　博鱼app专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；其中博鱼app博鱼app，所述衬底内形成有按照矩阵排列的有源区和隔离所述有源区的隔离结构；以第一方向为所述矩阵的列方向且以第二方向为所述矩阵的行方向；每一所述有源区以第三方向为延伸方向；在所述衬底上形成导电层；至少刻蚀所述导电层博鱼app，形成沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽和导电条；其中博鱼app，每一所述位线凹槽暴露一列所述有源区博鱼app，且所述位线凹槽的底表面低于所述衬底的顶表面；在每一所述位线凹槽内形成位线结构；所述位线结构与对应的所述位线凹槽两侧具有间隙；沿所述第二方向刻蚀所述导电条，形成作为存储节点接触结构的导电柱。